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参数资料
型号： IRGP30B60KD-E
厂商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管
文件页数： 7/12页
文件大小： 603K
代理商： IRGP30B60KD-E
IRGP30B60KD-E
www.irf.com
7
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 150°C; I
F
= 30A
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;T
J
= 150°C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;
I
F
= 30A; T
J
= 150°C
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
IR
0
20
40
60
80
IF (A)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
IR
RG =
4.7
RG =
22
RG =
47
RG =
100
RG =
10
0
25
50
75
100
125
RG (
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
IR
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
0
1000
2000
3000
4000
5000
QR
4.7
47
100
22
60A
30A
15A
10
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