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参数资料
| 型号： | IRGP35B60PD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | WARP2系列IGBT与超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 287K |
| 代理商： | IRGP35B60PD |
IRGP35B60PD
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
Fig. 4
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= -40°C; tp = 80μs
Fig. 5
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 25°C; tp = 80μs
Fig. 6
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 125°C; tp = 80μs
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
IC
10
100
1000
VCE (V)
1
10
100
1000
IC
0
1
2
3
4
5
VCE (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
IC
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
0
1
2
3
4
5
VCE (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
IC
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
0
1
2
3
4
5
VCE (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
IC
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
50
100
150
200
250
300
350
Pt
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGP4050 | PDP Switch |
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| IRGP4065DPBF | PDP TRENCH IGBT |
| IRGP4065PBF | PDP TRENCH IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRGP35B60PDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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