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参数资料
| 型号： | IRGP35B60PD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | WARP2系列IGBT与超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 287K |
| 代理商： | IRGP35B60PD |
IRGP35B60PD
8
www.irf.com
Fig.C.T.1
- Gate Charge Circuit (turn-off)
Fig.C.T.2
- RBSOA Circuit
L
Rg
80 V
DUT
480V
1K
VCC
DUT
0
L
Fig.C.T.4
- Resistive Load Circuit
Rg
VCC
DUT
R =
V
CC
I
CM
Fig.C.T.3
- Switching Loss Circuit
Fig. C.T.5
- Reverse Recovery Parameter
Test Circuit
REVERSE RECOVERY CIRCUIT
IRFP250
D.U.T.
L = 70μH
V = 200V
0.01
G
D
S
dif/dt
PFC diode
L
Rg
VCC
DUT /
DRIVER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRGP4065PBF | PDP TRENCH IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRGP35B60PDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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| IRGP4050PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 250V Plasma Display Panel IGBT Switch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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