参数资料
型号: IRGP4050
厂商: International Rectifier
英文描述: PDP Switch
中文描述: 等离子开关
文件页数: 3/8页
文件大小: 282K
代理商: IRGP4050
www.irf.com
3
0.1
1
10
100
VCE, Collecto-to-Emitter Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
IC
VGE= 15V
20μs PULSE WIDTH
TJ = 25°C
TJ = 150°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate-to-Emitter Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
IC
TJ = 150°C
TJ = 25°C
VCC = 50V
20μs PULSE WIDTH
0.1
1
10
100
f , Frequency ( kHz )
0
20
40
60
80
100
120
140
L
For both:
Duty cycle : 50%
Tj = 125°C
Tsink = 90°C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 73W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
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PDF描述
IRGP4055PBF PDP TRENCH IGBT
IRGP4065DPBF PDP TRENCH IGBT
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IRGP50B60PD1 SMPS IGBT
IRGPC20MD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRGP4050PBF 功能描述:IGBT 晶体管 250V Plasma Display Panel IGBT Switch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGP4055DPBF 功能描述:IGBT PDP N-CH 300V TO-247AC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRGP4055PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 110A 3PIN TO-247AC - Bulk
IRGP4062D-EPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 5uS 24A 1.65 VCE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGP4062DPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube