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参数资料
型号： IRGP4050
厂商： International Rectifier
英文描述： PDP Switch
中文描述： 等离子开关
文件页数： 6/8页
文件大小： 282K
代理商： IRGP4050
6
www.irf.com
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20
40
60
80
100
120
IC, Collecto-to-Emitter (A)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
T
RG =
5.0
TJ = 150°C
VCE= 200V
VGE = 15V
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
IC
VGE = 20V
TJ = 125°
SAFE OPERATING AREA
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PDF描述
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参数描述
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IRGP4055DPBF 功能描述:IGBT PDP N-CH 300V TO-247AC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRGP4055PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 110A 3PIN TO-247AC - Bulk
IRGP4062D-EPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 5uS 24A 1.65 VCE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGP4062DPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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