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参数资料
| 型号： | IRGP4050 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | PDP Switch |
| 中文描述： | 等离子开关 |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 282K |
| 代理商： | IRGP4050 |
8
www.irf.com
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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06/04
Note:
"P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRGP4055PBF | PDP TRENCH IGBT |
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| IRGP50B60PD1 | SMPS IGBT |
| IRGPC20MD2 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGP4050PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 250V Plasma Display Panel IGBT Switch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGP4055DPBF | 功能描述:IGBT PDP N-CH 300V TO-247AC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRGP4055PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 110A 3PIN TO-247AC - Bulk |
| IRGP4062D-EPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 5uS 24A 1.65 VCE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGP4062DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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