型号: | IRGPS40B120UD |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR |
中文描述: | 晶体管| IGBT的|正陈| 1.2KV五(巴西)国际消费电子展| 40A条一(c)|至247VAR |
文件页数: | 10/12页 |
文件大小: | 117K |
代理商: | IRGPS40B120UD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRGS14B40L | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 430V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-252VAR |
IRGTDN100M12 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
IRGTDN150K06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 170A I(C) |
IRGTDN150M06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
IRGTDN150M12 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRGPS40B120UDP | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRGPS40B120UP | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRGPS40B120UPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 8-25kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRGPS60B120KD | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
IRGPS60B120KDP | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |