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参数资料
型号： IRGPS40B120UD
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR
中文描述： 晶体管| IGBT的|正陈| 1.2KV五（巴西）国际消费电子展| 40A条一（c）|至247VAR
文件页数： 7/12页
文件大小： 117K
代理商： IRGPS40B120UD
IRGPS40B120UD
www.irf.com
7
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 125
°
C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 125
°
C; I
F
= 40A
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 600V; V
GE
= 15V;T
J
= 125
°
C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 600V; V
GE
= 15V;
I
CE
= 40A; T
J
= 125
°
C
0
20
40
60
80
100
IF (A)
0
10
20
30
40
50
60
IR
RG = 4.7
RG =22
RG =47
RG =100
0
50
100
150
RG (
)
0
10
20
30
40
50
60
IR
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
0
10
20
30
40
50
60
IR
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
QR
4.7
22
47
100
80A
40A
20A
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PDF描述
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参数描述
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IRGPS60B120KDP 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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