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参数资料
型号： IRGPS40B120UD
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR
中文描述： 晶体管| IGBT的|正陈| 1.2KV五（巴西）国际消费电子展| 40A条一（c）|至247VAR
文件页数： 11/12页
文件大小： 117K
代理商： IRGPS40B120UD
IRGPS40B120UD
www.irf.com
11
Fig. WF.1 - Typ. Turn-off Loss Waveform
@ Tj=125°C using Fig. CT.4
-100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
-0.20
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
Time(μs)
V
C
-10
0
10
20
30
40
50
I
C
90% I
CE
5% V
CE
5% I
CE
Eoff Loss
tf
Fig. WF.2 - Typ. Turn-on Loss Waveform
@ Tj=125C using Fig. CT.4
-100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
4.10
4.20
4.30
4.40
4.50
4.60
Time (μs)
V
C
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
I
C
TEST CURRENT
90% test current
5% V
CE
10% test current
Fig. WF.3 - Typ. Diode Recovery
Waveform
@Tj=125
°
C using Fig. CT.4
-800
-700
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0
100
200
300
-0.25
0.25
0.75
time (μS)
V
F
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
I
F
Peak
I
RR
t
RR
Q
RR
10%
Peak
IRR
Fig. WF.4 - Typ. S.C. Waveform
@ TC=150
°
C using Fig. CT.3
0
-5.00
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.00
5.00
10.00
15.00
time (μS)
V
C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
C
V
CE
I
CE
相关PDF资料
PDF描述
IRGS14B40L TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 430V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-252VAR
IRGTDN100M12 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
IRGTDN150K06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 170A I(C)
IRGTDN150M06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
IRGTDN150M12 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRGPS40B120UDP 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGPS40B120UP 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGPS40B120UPBF 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 8-25kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGPS60B120KD 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRGPS60B120KDP 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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