- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录360956 > IRGPS40B120UD TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRGPS40B120UD |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT的|正陈| 1.2KV五（巴西）国际消费电子展| 40A条一（c）|至247VAR |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | IRGPS40B120UD |
IRGPS40B120UD
8
www.irf.com
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 125
°
C
Fig. 23
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 40A; L = 600μH
Fig. 22
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
0
20
40
60
80
100
IF (A)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
E
4.7
22
47
100
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
10
100
1000
10000
C
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
600V
800V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGS14B40L | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 430V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-252VAR |
| IRGTDN100M12 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
| IRGTDN150K06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 170A I(C) |
| IRGTDN150M06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| IRGTDN150M12 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGPS40B120UDP | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGPS40B120UP | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGPS40B120UPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 8-25kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGPS60B120KD | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRGPS60B120KDP | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。