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参数资料
| 型号： | IRHMS593160 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET的通孔（低阻值到254AA） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | IRHMS593160 |
IRHMS597160
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Typical Output Characteristics
Typical Output Characteristics
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
10
100
1000
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
-
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
-12V
-45A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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