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参数资料
| 型号： | IRHMS593160 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET的通孔（低阻值到254AA） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | IRHMS593160 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHMS597160
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
V
DD
DRIVER
A
15V
-20V
tp
V
(BR)DSS
I
AS
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
-20A
-28.5A
-45A
TOP
BOTTOM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHMS597160 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) |
| IRHN7054 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| IRHN8054 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| IRHN7130 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14) |
| IRHN8130 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRHMS593260SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHMS593Z60 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHMS593Z60SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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