参数资料
型号: IS61DDB21M36-250M3
厂商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类: DRAM
英文描述: 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs
中文描述: 1M X 36 DDR SRAM, 0.35 ns, PBGA165
封装: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件页数: 13/25页
文件大小: 421K
代理商: IS61DDB21M36-250M3
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. B
2/22/05
13
ISSI
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs
Typical AC Input Characteristics
Item
Symbol
Minimum
Maximum
Notes
AC input logic high
V
IH
(ac)
V
REF
+ 0.4
1, 2, 3, 4
AC input logic low
V
IL
(ac)
V
REF
- 0.4
1, 2, 3, 4
Clock input logic high (K, K, C, C)
V
IH-CLK
(ac)
V
REF
+ 0.4
1, 2, 3
Clock input logic low (K, K, C, C)
V
IL-CLK
(ac)
V
REF
- 0.4
1, 2, 3
1. The peak-to-peak AC component superimposed on V
REF
may not exceed 5% of the DC component of V
REF
.
2. Performance is a function of V
IH
and V
IL
levels to clock inputs.
3. See the
AC Input Definition
diagram.
4. See the
AC Input Definition
diagram. The signals should swing monotonically with no steps rail-to-rail with input signals never ring-
ing back past VIH (AC) and VIL (AC) during the input setup and input hold window. VIH (AC) and VIL (AC) are used for timing pur-
poses only.
AC Input Definition
Programmable Impedance Output Driver DC Electrical Characteristics
(T
A
= 0 to +70
°
C, V
DD
= 1.8V -5%, +5%, V
DDQ
= 1.5, 1.8V)
Parameter
Symbol
Minimum
Maximum
Units
Notes
Output “high” level voltage
V
OH
V
DDQ
/ 2
V
DDQ
V
1, 3
Output “low” level voltage
V
OL
V
SS
V
DDQ
/ 2
V
2, 3
1. I
OH
=
±
15% @ V
OH
= V
DDQ
/ 2 For: 175
RQ
350
.
2. I
OL
=
±
15% @ V
OL
= V
DDQ
/ 2 For: 175
RQ
350
.
3. Parameter tested with RQ = 250
and V
DDQ
= 1.5V.
V
IH
(AC)
V
REF
V
IL
(AC)
Setup
Time
Hold
Time
V
REF
K
K
V
RAIL
V
-RAIL
V2
5
RQ
V2
5
RQ
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PDF描述
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