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参数资料
| 型号： | IS61DDB21M36-250M3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 36 DDR SRAM, 0.35 ns, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件页数： | 6/25页 |
| 文件大小： | 421K |
| 代理商： | IS61DDB21M36-250M3 |
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. B
2/22/05
ISSI
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs
Depth Expansion
The following figure depicts an implementation of four 2M x 18 DDR
-II
SRAMs with common I/Os. In this appli-
cation example, the second pair of C and C clocks is delayed such that the return data meets the data setup
and hold times at the bus master.
Power-Up and Power-Down Sequences
The power supplies must be powered up in the following order:
1. V
DD
2. V
DDQ
3. V
REF
4. Inputs
The power-down sequence must be the reverse. V
DDQ
can be allowed to exceed V
DD
by no more than 0.6V.
Application Example
2M x 18
SA
LD R/W BW
0
BW
1
C C K K
DQ
0–17
ZQ
SRAM #4
R=250
Vt
Data-In/Data-Out
Address 0–65
LD
R/W
BW
0–7
Memory
Controller
Return CLK
Source CLK
Return CLK
Source CLK
SA LD R/W BW
0
BW
1
C C K K
DQ
0–17
ZQ
SRAM #1
R=250
Vt
R
Vt
Vt
R=50
Vt=V
REF
R
0–71
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61DDB22M18 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
| IS61DDB22M18-250M3 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
| IS61DDB41M36-250M3 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
| IS61DDB42M18 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
| IS61DDB42M18-250M3 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61DDB21M36-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36M (1Mx36) 250MHz DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61DDB21M36-275M3 | 功能描述:静态随机存取存储器 36M (1Mx36) 275MHz DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61DDB21M36A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 1Mx36 165ball DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61DDB22M18 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
| IS61DDB22M18-250M3 | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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