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参数资料
| 型号： | IS61DDB21M36-250M3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 36 DDR SRAM, 0.35 ns, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件页数： | 3/25页 |
| 文件大小： | 421K |
| 代理商： | IS61DDB21M36-250M3 |
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. B
2/22/05
3
ISSI
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs
Pin Description
Symbol
Pin Number
Description
K, K
6B, 6A
Input clock.
C, C
6P, 6R
Input clock for output data control.
CQ, CQ
11A, 1A
Output echo clock.
Doff
1H
DLL disable when low.
SA
0
6C
Burst count address input.
SA
9A, 4B, 8B, 5C, 7C, 5N, 6N, 7N, 4P, 5P, 7P, 8P, 3R, 4R, 5R, 7R,
8R, 9R
1M x 36 address inputs.
SA
3A, 9A, 4B, 8B, 5C, 7C, 5N, 6N, 7N, 4P, 5P, 7P, 8P, 3R, 4R, 5R,
7R, 8R, 9R
2M x 18 address inputs.
DQ0–DQ8
DQ9–DQ17
DQ18–DQ26
DQ27–DQ35
11P, 11M, 11L, 11K, 11J, 11F, 11E, 11C, 11B
10P, 11N, 10M, 10K, 10J, 11G, 10E, 11D, 10C
3B, 3D, 3E, 3F, 3G, 3K, 3L, 3N, 3P
2B, 3C, 2D, 2F, 2G, 3J, 2L, 3M, 2N
1M x 36 DQ pins
DQ0–DQ8
DQ9–DQ17
11P, 10M, 11L, 11K, 10J, 11F, 11E, 10C, 11B
2B, 3D, 3E, 2F, 3G, 3K, 2L, 3N, 3P
2M x 18 DQ pins
R/W
4A
Read/write control. Read when active high.
LD
8A
Synchronizes load. Loads new address
when low.
BW
0,
BW
1,
BW
2,
BW
3
7B, 7A, 5A,5B
1M x 36 byte write control, active low.
BW
0,
BW
1
7B, 5A
2M x 18 byte write control, active low.
V
REF
2H, 10H
Input reference level.
V
DD
5F, 7F, 5G, 7G, 5H, 7H, 5J, 7J, 5K, 7K
Power supply.
V
DDQ
4E,8E,4F,8F,4G,8G,3H,4H,8H,9H,4J,8J,4K,8K,4L,8L
Output power supply.
V
SS
2A, 10A, 4C, 8C, 4D, 5D, 6D, 7D, 8D, 5E, 6E, 7E, 6F, 6G, 6H, 6J,
6K, 5L, 6L, 7L, 4M, 8M, 4N, 8N
Power supply.
ZQ
11H
Output driver impedance control.
TMS, TDI, TCK
10R, 11R, 2R
IEEE 1149.1 test inputs (1.8V LVTTL lev-
els).
TDO
1R
IEEE 1149.1 test output (1.8V LVTTL level).
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PDF描述 |
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