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参数资料
| 型号： | IS61LF51218D-8.5TQ |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
| 封装： | TQFP-100 |
| 文件页数： | 12/21页 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | IS61LF51218D-8.5TQ |
2
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00A
04/17/01
IS61SF25632T/D
IS61LF25632T/D
IS61SF25636T/D
IS61LF25636T/D
IS61SF51218T/D
IS61LF51218T/D
ISSI
BLOCK DIAGRAM
BINARY
COUNTER
BWa
GW
CLR
CE
CLK
Q0
Q1
MODE
A0'
A0
A1
A1'
CLK
ADV
ADSC
ADSP
16/17
18/19
ADDRESS
REGISTER
CE
D
CLK
Q
DQd
BYTE WRITE
REGISTERS
D
CLK
Q
DQc
BYTE WRITE
REGISTERS
D
CLK
Q
DQb
BYTE WRITE
REGISTERS
D
CLK
Q
DQa
BYTE WRITE
REGISTERS
D
CLK
Q
ENABLE
REGISTER
CE
D
CLK
Q
ENABLE
DELAY
REGISTER
D
CLK
Q
BWE
BWd
CE (T,D)
CE2 (T)
CE2 (T,D)
BWb
BWc
256K x 32; 256K x 36;
512K x 18
MEMORY ARRAY
INPUT
REGISTERS
CLK
32, 36,
or 18
OE
4
OE
DQa - DQd
18/19
A17-A0
(61SF25632/36,
61LF25632/36)
A18-A0
(61SF51218,
61LF51218)
(x32/x36)
(x32/x36/x18)
(x32/x36)
(x32/x36/x18)
32, 36,
or 18
32, 36,
or 18
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200B2 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200B2I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200B3 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200B3I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQ | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LF51236A | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-6.5B2 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-6.5B2I | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LF51236A-6.5B2I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LF51236A-6.5B2LI | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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