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参数资料
| 型号： | IS61LF51218D-8.5TQ |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
| 封装： | TQFP-100 |
| 文件页数： | 5/21页 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | IS61LF51218D-8.5TQ |
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
13
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00A
04/17/01
IS61SF25632T/D
IS61LF25632T/D
IS61SF25636T/D
IS61LF25636T/D
IS61SF51218T/D
IS61LF51218T/D
ISSI
READ/WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS (Over Operating Range)
-8*
-8.5
-9
-10
Symbol
Parameter
Min. Max.
Unit
fMAX
Clock Frequency
—
100
—
90
—
66
—
66
MHz
tKC
Cycle Time
9.5
—
10
—
15
—
15
—
ns
tKH
Clock High Pulse Width
3.0
—
3.0
—
4.0
—
4.0
—
ns
tKL
Clock Low Pulse Width
3.0
—
3.0
—
4.0
—
4.0
—
ns
tKQ
Clock Access Time
—
8
—
8.5
—
9
—
10
ns
tKQX(1)
Clock High to Output Invalid
2
—
2
—
2
—
2
—
ns
tKQLZ(1,2)
Clock High to Output Low-Z
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
tKQHZ(1,2)
Clock High to Output High-Z
2
3.5
2
3.8
2
4
1.5
4.2
ns
tOEQ
Output Enable to Output Valid
—
3.5
—
3.8
—
4
—
5ns
tOELZ(1,2)
Output Enable to Output Low-Z
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
tOEHZ(1,2)
Output Enable to Output High-Z
—
3.2
—
3.8
—
4
—
5ns
tAS
Address Setup Time
1.8
—
1.8
—
2
—
2
—
ns
tSS
Address Status Setup Time
1.8
—
1.8
—
2
—
2
—
ns
tWS
Write Setup Time
1.8
—
1.8
—
2
—
2
—
ns
tCES
Chip Enable Setup Time
1.8
—
1.8
—
2
—
2
—
ns
tAVS
Address Advance Setup Time
1.8
—
1.8
—
2
—
2
—
ns
tAH
Address Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
tSH
Address Status Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
tWH
Write Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
tCEH
Chip Enable Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
tAVH
Address Advance Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
*This speed available only in SF version
Note:
1. Guaranteed but not 100% tested. This parameter is periodically sampled.
2. Tested with load in Figure 2.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200B2 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200B2I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200B3 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200B3I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQ | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LF51236A | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-6.5B2 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-6.5B2I | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LF51236A-6.5B2I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LF51236A-6.5B2LI | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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