参数资料
型号: IS61LF51218D-8.5TQ
厂商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类: SRAM
英文描述: 512K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100
封装: TQFP-100
文件页数: 4/21页
文件大小: 148K
代理商: IS61LF51218D-8.5TQ
12
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00A
04/17/01
IS61SF25632T/D
IS61LF25632T/D
IS61SF25636T/D
IS61LF25636T/D
IS61SF51218T/D
IS61LF51218T/D
ISSI
CAPACITANCE(1,2)
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
6
pF
COUT
Input/Output Capacitance
VOUT = 0V
8
pF
Notes:
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
2. Test conditions: TA = 25°C, f = 1 MHz, Vcc = 3.3V.
AC TEST CONDITIONS
Parameter
Unit
Input Pulse Level
0V to 3.0V
Input Rise and Fall Times
1.5 ns
Input and Output Timing
1.5V for 3.3V I/O
and Reference Level
VCCQ/2 for 2.5V I/O
Output Load
See Figures 1 and 2
AC TEST LOADS
Figure 2
317
/
1667
5 pF
Including
jig and
scope
351
/
1538
OUTPUT
3.3V for 3.3V I/O
2.5V for 2.5V I/O
Figure 1
Output
Buffer
ZO = 50
1.5V for 3.3V I/O
VCCQ for 2.5V I/O
50
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PDF描述
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IS61LF51236A-6.5B2LI 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray