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参数资料
型号： IS61LF51218D-8.5TQ
厂商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类： SRAM
英文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100
封装： TQFP-100
文件页数： 19/21页
文件大小： 148K
代理商： IS61LF51218D-8.5TQ
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
7
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00A
04/17/01
IS61SF25632T/D
IS61LF25632T/D
IS61SF25636T/D
IS61LF25636T/D
IS61SF51218T/D
IS61LF51218T/D
ISSI
A17
NC
VCCQ
GND
NC
DQPa
DQa8
DQa7
GND
VCCQ
DQa6
DQa5
GND
NC
VCC
ZZ
DQa4
DQa3
VCCQ
GND
DQa2
DQa1
NC
GND
VCCQ
NC
A6
A7
CE
CE2
NC
BWb
BWa
A18
VCC
GND
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A8
A9
NC
VCCQ
GND
NC
DQb1
DQb2
GND
VCCQ
DQb3
DQb4
GND
VCC
NC
GND
DQb5
DQb6
VCCQ
GND
DQb7
DQb8
DQPb
NC
GND
VCCQ
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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30
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79
78
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76
75
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72
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70
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68
67
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65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
MODE
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
GND
VCC
NC
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
46 47 48 49 50
PIN CONFIGURATION
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
VCCQ
NC
DQb1
NC
VCCQ
NC
DQb4
VCCQ
NC
DQb6
VCCQ
DQb8
NC
VCCQ
A6
CE2
A7
NC
DQb2
NC
DQb3
NC
VCC
DQb5
NC
DQb7
NC
DQPb
A5
A11
NC
A4
A3
A2
GND
BWb
GND
NC
GND
MODE
A10
NC
ADSP
ADSC
VCC
NC
CE
OE
ADV
GW
VCC
CLK
NC
BWE
A1
A0
VCC
NC
A8
A9
A12
GND
NC
GND
BWa
GND
A14
NC
A16
CE2
A15
DQPa
NC
DQa7
NC
DQa5
VCC
NC
DQa3
NC
DQa2
NC
A13
A17
NC
VCCQ
NC
DQa8
VCCQ
DQa6
NC
VCCQ
DQa4
NC
VCCQ
NC
DQa1
NC
ZZ
VCCQ
1
2
3
4
5
6
7
512K x 18
119-pin PBGA (Top View)
100-Pin TQFP (D Version)
PIN DESCRIPTIONS
A0, A1
Synchronous Address Inputs. These
pins must tied to the two LSBs of the
address bus.
A2-A18
Synchronous Address Inputs
CLK
Synchronous Clock
ADSP
Synchronous Processor Address
Status
ADSC
Synchronous Controller Address
Status
ADV
Synchronous Burst Address Advance
BWa-BWb
Synchronous Byte Write Enable
BWE
Synchronous Byte Write Enable
GW
Synchronous Global Write Enable
CE, CE2
Synchronous Chip Enable
OE
Output Enable
DQa-DQb
Synchronous Data Input/Output
MODE
Burst Sequence Mode Selection
VCC
+3.3V Power Supply
GND
Ground
VCCQ
Isolated Output Buffer Supply: 3.3V or 2.5V
ZZ
Snooze Enable
DQPa-DQPb
Parity Data I/O DQPa is parity for
DQa1-a8; DQPb is parity for DQb1-b8
相关PDF资料
PDF描述
IS61LPD25636A-200B2 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A-200B2I 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A-200B3 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A-200B3I 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A-200TQ 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
相关代理商/技术参数
参数描述
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IS61LF51236A-6.5B2 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF51236A-6.5B2I 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LF51236A-6.5B2I-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LF51236A-6.5B2LI 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
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