型号: | IS61LF51218D-8.5TQ |
厂商: | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
元件分类: | SRAM |
英文描述: | 512K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
封装: | TQFP-100 |
文件页数: | 17/21页 |
文件大小: | 148K |
代理商: | IS61LF51218D-8.5TQ |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IS61LPD25636A-200B2 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
IS61LPD25636A-200B2I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
IS61LPD25636A-200B3 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
IS61LPD25636A-200B3I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
IS61LPD25636A-200TQ | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IS61LF51236A | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
IS61LF51236A-6.5B2 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
IS61LF51236A-6.5B2I | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61LF51236A-6.5B2I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61LF51236A-6.5B2LI | 功能描述:静态随机存取存储器 18M (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |