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参数资料
| 型号： | ISL85402IRZ-TK |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 8/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG BUCK BOOST SYNC ADJ 20QFN |
| 标准包装： | 1,000 |
| 类型： | 降压（降压），升压（升压） |
| 输出类型： | 可调式 |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 可调至 0.8V |
| 输入电压： | 3 V ~ 36 V |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 频率 - 开关： | 200kHz ~ 2.2MHz |
| 电流 - 输出： | 2.5A |
| 同步整流器： | 两者兼有 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 供应商设备封装： | 20-QFN（4x4） |
ISL85402
Electrical Specifications Refer to “Block Diagram” on page 4 and “Typical Application Schematics” on page 5. Operating
Conditions Unless Otherwise Noted: V IN = 12V, or V CC = 4.5V ±10%, T A = -40°C to +105°C. Typicals are at T A = +25°C. Boldface limits apply
over the operating temperature range, -40°C to +105°C. (Continued)
MIN
MAX
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
(Note 6)
TYP
(Note 6) UNITS
Minimum Output Voltage
0.5
V
Slew Rate
SR
C LOAD = 50pF
5
V/μs
PFM MODE CONTROL
Default PFM Current Threshold
MODE = VCC or Floating
700
mA
INTERNAL HIGH-SIDE MOSFET
Upper MOSFET r DS(ON)
r DS(ON)_UP
125
180
m ?
LOW-SIDE MOSFET GATE DRIVER
LGate Source Resistance
LGATE Sink Resistance
100mA Source Current
100mA Sink Current
3.5
3.3
?
?
BOOST CONVERTER CONTROL
EXT_BOOST Boost_Off Threshold Voltage
0.74
0.8
0.86
V
EXT_BOOST Hysteresis Sink Current
AUXVCC Boost Turn-Off Threshold Voltage
AUXVCC Hysteresis Sink Current
I EXT_BOOST_HYS
I AUXVCC_HYS
2.4
0.74
2.4
3.2
0.8
3.2
3.8
0.86
3.8
μA
V
μA
POWER-GOOD MONITOR
Overvoltage Rising Trip Point
Overvoltage Rising Hysteresis
Undervoltage Falling Trip Point
Undervoltage Falling Hysteresis
PGOOD Rising Delay
V FB/ V REF
V FB/ V OVTRIP
V FB/ V REF
V FB/ V UVTRIP
t PGOOD_DELAY
Percentage of Reference Point
Percentage Below OV Trip Point
Percentage of Reference Point
Percentage Above UV Trip Point
f OSC = 500kHz
104
84
110
3
90
3
2
116
96
%
%
%
%
ms
PGOOD Leakage Current
PGOOD HIGH, V PGOOD = 4.5V
10
nA
PGOOD Low Voltage
V PGOOD
PGOOD LOW, IPGOOD = 0.2mA
0.10
V
OVERCURRENT PROTECTION
Default Cycle-by-Cycle Current Limit Threshold
Hiccup Current Limit Threshold
I OC_1
I OC_2
I LIMIT = GND or VCC or Floating
Hiccup, I OC_2 /I OC_1
3
3.6
115
4.2
A
%
OVERVOLTAGE PROTECTION
OV Latching-off Trip Point
Percentage of Reference Point
120
%
LG = UG = LATCH LOW
OV Non-Latching-off Trip Point
Percentage of Reference Point
110
%
LG = UG = LOW
OV Non-Latching-off Release Point
Percentage of Reference Point
102.5
%
OVER-TEMPERATURE PROTECTION
Over-Temperature Trip Point
Over-Temperature Recovery Threshold
155
140
°C
°C
NOTE:
6. Parameters with MIN and/or MAX limits are 100% tested at +25°C, unless otherwise specified. Temperature limits established by characterization
and are not production tested.
8
FN7640.1
April 25, 2013
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