- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20463 > IXD611S7 (IXYS)IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXD611S7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC |
| 标准包装： | 424 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 盒 |
| 配用： | EVLB001-ND - KIT EVAL DIMMABLE LIGHT BALLAST |
IXD611
Fig. 17
Fig. 18
Input Threshold Level vs. Temperature
4.5
4
3.5
Input Threshold Level vs. Supply Voltage
4
3.5
3
V SUPPLY = 15V
3
Positve going
2.5
Pos. going input
2.5
Negative going
2
Neg. going input
2
1.5
1.5
1
1
0.5
0
0.5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
0
50
100
150
Supply Voltage (V)
Temperature (C)
Fig.19
1.2
Quiescent Supply Current vs. Supply Voltage
V IN = "0"
Fig. 20
0.57
Quiescent Current vs. Temperature
V IN = "0" V SUPPLY = 15V Both Drivers Combined
0.56
1
0.55
0.8
High side
0.54
0.53
0.6
0.52
0.4
Low side
0.51
0.5
0.2
0.49
0
0.48
0
5
10
15 20 25
Supply Voltage (V)
30
35
40
-50
0
50
Temperature (C)
100
150
Fig.21
LIN / HIN Bias Current vs. Supply Voltage
Fig.22
LIN / HIN Bias Current vs. Temperature
30
V IN = Supply Voltage
16
V SUPPLY = 15V
25
14
V IN = 15V
12
20
10
15
10
Logic "1" either input pin
8
6
4
V IN = 5V
5
0
Logic "0" 2uA
max.
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
0
50
100
150
Supply Voltage (V)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. 10
Temperature (C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM15DCMH-S288 | CONN EDGECARD 30POS .156 EXTEND |
| 395-070-541-201 | CARD EDGE 70POS DL .100X.200 BLK |
| S561K33X7RP6UL5R | CAP CER 560PF 2KV 10% RADIAL |
| IXA531S10 | IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 48-MLP |
| EBA14DRSN-S288 | CONN EDGECARD 28POS .125 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXD611S7T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDA20N120AS | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDA20N120AS_11 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT |
| IXDA20N120AS-TUBE | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDD404 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。