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参数资料
| 型号： | IXD611S7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC |
| 标准包装： | 424 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 盒 |
| 配用： | EVLB001-ND - KIT EVAL DIMMABLE LIGHT BALLAST |
IXD611
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V HS
V CH
V HGO
V CL
V LGO
V DG
V IN
dV HS /dt
P D
Definition
High side floating supply offset voltage
High side floating absolute voltage
High side floating output voltage
Low side fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic supply offset voltage (P7, S7 only)
Logic input voltage(HIN & LIN)
Allowable offset supply voltage transient
Package power dissipation@ T A ≤ 25C
8 pin PDIP
8 pin SOIC
14 pin PDIP
14 pin SOIC
Min
-200
-0.3
V HS - 0.3
-0.3
-0.3
V LS - 0.7
LS - 0.3
Max
650
35
V CH + 0.3
35
V CL + 0.3
V LS + 0.7
V CL + 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
Units
V
V
V
V
V
V
V
V/ns
W
W
W
W
R THJA
Thermal resistance, junction-to-ambient
8 pin PDIP
8 pin SOIC
14 pin PDIP
14 pin SOIC
125
200
75
120
o
o
o
o
C/W
C/W
C/W
C/W
C
T J
Junction Temperature
150
o
C
C
T S
T L
Storage temperature
Lead temperature (soldering, 10 s)
-55
150
300
o
o
Recommended Operating Conditions
Symbol
V HS
V CH
V HGO
V CL
V LGO
V DG
V IN
Definition
High side floating supply offset voltage
High side floating supply absolute voltage
High side floating output voltage
Low side fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic supply offset voltage (P7, S7 only)
Logic input voltage(HIN, LIN)
Min
-200
10
V HS
10
0
V LS - 0.3
V DG or LS
Max
600
30
V CH
30
V CL
V LS + 0.3
V CL
Units
V
V
V
V
V
V
V
T A
Ambient Temperature
-40
125
o
C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM15DCMH-S288 | CONN EDGECARD 30POS .156 EXTEND |
| 395-070-541-201 | CARD EDGE 70POS DL .100X.200 BLK |
| S561K33X7RP6UL5R | CAP CER 560PF 2KV 10% RADIAL |
| IXA531S10 | IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 48-MLP |
| EBA14DRSN-S288 | CONN EDGECARD 28POS .125 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXD611S7T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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| IXDA20N120AS_11 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT |
| IXDA20N120AS-TUBE | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDD404 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
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