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参数资料
| 型号： | IXD611S7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC |
| 标准包装： | 424 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 盒 |
| 配用： | EVLB001-ND - KIT EVAL DIMMABLE LIGHT BALLAST |
IXD611
Fig. 11
40
Rise Times vs. Supply Voltage
Fig.12
25
Fall Times vs. Supply Voltage
35
20
30
25
20
15
10
1000 pF
15
10
5
1000 pF
100 pF
5
0
100 pF
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
Fig. 13
40
Rise / Fall Times vs. Temperature
V IN = V SUPPLY = 15V C LOAD = 1000pF
Fig. 14
Propagation Delay vs. Supply Voltage
C L = 1000pF V IN = V SUPPLY
260
35
30
25
Rise
240
220
200
20
15
10
5
Fall
180
160
140
120
Low side positive going
Low side negative going
High side positive going
High side negative going
100
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
0
50
Temperature (C)
100
150
Supply Voltage (V)
Fig.15
Propagation Delay vs. Temperature
V IN = V SUPPLY = 15V C LOAD = 1000pF
Fig. 16
10
Under Voltage Lock Out vs. Temperature
190
9.5
185
9
Pos. going supply voltage
180
175
Pos. going input
8.5
8
170
165
Neg. going input
7.5
7
Neg. going supply voltage
6.5
160
6
155
150
5.5
5
-100
-50
0
50
100
150
-100
-50
0
50
100
150
Temperature (C)
? 2007 IXYS CORPORATION All rights reserved
9
Temperature (C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM15DCMH-S288 | CONN EDGECARD 30POS .156 EXTEND |
| 395-070-541-201 | CARD EDGE 70POS DL .100X.200 BLK |
| S561K33X7RP6UL5R | CAP CER 560PF 2KV 10% RADIAL |
| IXA531S10 | IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 48-MLP |
| EBA14DRSN-S288 | CONN EDGECARD 28POS .125 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXD611S7T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDA20N120AS | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDA20N120AS_11 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT |
| IXDA20N120AS-TUBE | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDD404 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
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