参数资料
型号: IXD611S7
厂商: IXYS
文件页数: 3/14页
文件大小: 0K
描述: IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC
标准包装: 424
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 14-SOIC
包装:
配用: EVLB001-ND - KIT EVAL DIMMABLE LIGHT BALLAST
IXD611
Figure 3A. Pin configuration for IXD611P1 (8 pin DIP) and IXD611S1 (8 pin SOIC)
1
2
3
VCL
HIN
LIN
VCH
HGO
HS
8
7
6
1
2
3
VCL
HIN
LIN
VCH
HGO
HS
8
7
6
4
LS
LGO
5
4
LS
8 pin DIP
LGO
5
8 pin SOIC
Figure 3B. Pin configuration for IXD611P7 (14 pin DIP) and IXD611S7 (14 pin SOIC)
1
2
3
4
5
6
7
VCL
HIN
LIN
NC
DG
LS
LGO
NC
VCH
HGO
HS
NC
NC
NC
14
13
12
11
10
9
8
1
2
3
4
5
6
7
VCL
HIN
LIN
NC
DG
LS
LGO
NC
VCH
HGO
HS
NC
NC
NC
14
13
12
11
10
9
8
14 pin DIP
? 2007 IXYS CORPORATION All rights reserved
3
14 pin SOIC
相关PDF资料
PDF描述
EBM15DCMH-S288 CONN EDGECARD 30POS .156 EXTEND
395-070-541-201 CARD EDGE 70POS DL .100X.200 BLK
S561K33X7RP6UL5R CAP CER 560PF 2KV 10% RADIAL
IXA531S10 IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 48-MLP
EBA14DRSN-S288 CONN EDGECARD 28POS .125 EXTEND
相关代理商/技术参数
参数描述
IXD611S7T/R 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDA20N120AS 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXDA20N120AS_11 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT
IXDA20N120AS-TUBE 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXDD404 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver