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参数资料
| 型号： | IXDN430MYI |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 41ns |
| 电流 - 峰： | 30A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 8.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 盒 |
| 配用： | EVDN430MYI-ND - BOARD EVALUATION IXDN430MYI |
| 其它名称： | Q1952551 |
IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430
Electrical Characteristics
Unless otherwise noted, temperature over -55 o C to +125 o C, 4.5 ≤ V CC ≤ 35V .
All voltage measurements with respect to GND. IXDD430 configured as described in Test Conditions .
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
V IH
V IL
High input voltage
Low input voltage
8.5 ≤ Vcc ≤ 18V
8.5 ≤ Vcc ≤ 18V
3.5
1.1
V
V
V IN
R OH
Input voltage range
Output resistance
V CC = 18V
-5
V CC + 0.3
0.46
V
?
@ Output high
R OL
Output resistance
V CC = 18V
0.4
?
@ Output Low
t R
t F
t ONDLY
Rise time
Fall time
On-time propagation
C L =5600pF Vcc=18V
C L =5600pF Vcc=18V
C L =5600pF Vcc=18V
20
18
58
ns
ns
ns
delay
t OFFDLY
Off-time propagation
C L =5600pF Vcc=18V
51
ns
delay
V CC
Power supply voltage
8.5
18
35
V
5-lead TO-220 Outline (IXD_430CI, IXD_430MCI) 5-lead TO-263 Outline (IXD_430YI, IXD_430MYI)
28-pin SOIC Outline (IXD_430SI)
NOTE: Mounting tabs, solder tabs, or heat sink metalization on all packages are connected to ground.
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RBB06DHRD | CONN CARD EXTEND 12POS .050" |
| VE-2N2-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 15V 75W |
| RKZ-0505D/H | CONV DC/DC 2W 05VIN +/-05VOUT |
| VE-2NJ-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W |
| VE-2NH-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN430YI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps 40V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN502D1 | 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 35V 3 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN502D1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 40V 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN502PI | 功能描述:功率驱动器IC 40V 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN502SIA | 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 40V 3.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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