参数资料
型号: IXDN430MYI
厂商: IXYS
文件页数: 7/12页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263
标准包装: 50
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 41ns
电流 - 峰: 30A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 8.5 V ~ 35 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA
供应商设备封装: TO-263
包装:
配用: EVDN430MYI-ND - BOARD EVALUATION IXDN430MYI
其它名称: Q1952551
IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430
Fig. 9
300
Supply Current vs. Load Capacitance
Vcc = 13V
2 MHz
Fig. 10
1000
Supply Current vs. Frequency
Vcc = 13V
15000
pF
10000
5600
pF
pF
250
200
150
100
50
1 MHz
500 kHz
100 kHz
50 kHz
100
10
1
1000
pF
0
10 kHz
0.1
1000
10000
100000
1
10
100
1000
10000
Load Capacitance (pF)
Frequency (kHz)
Fig. 11
300
Supply Current vs. Load Capacitance
Vcc = 18V
Fig. 12
1000
Supply Current vs. Frequency
Vcc = 18V
15000 pF
10000 pF
250
2 MHz
1 MHz
5600 pF
1000 pF
100
200
500 kHz
150
10
100
1
50
100 kH z
50 kHz
0
10 kHz
0.1
1000
10000
100000
1
10
100
1000
10000
Load Capacitance (pF)
Frequency (kHz)
Fig. 13
400
Supply Current vs. Load Capacitance
Vcc = 25V
Fig. 14
1000
Supply Current vs. Frequency
Vcc = 25V
15000 pF
10000 pF
5600 pF
350
300
250
200
2 MHz
1 MHz
100
10
1000 pF
500 kHz
150
100
50
100 kHz
50 kHz
1
0
10 kHz
0.1
1000
10000
100000
1
10
100
1000
10000
Load Capacitance (pF)
7
Frequency (kHz)
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PDF描述
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参数描述
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