参数资料
型号: IXDN430MYI
厂商: IXYS
文件页数: 9/12页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263
标准包装: 50
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 41ns
电流 - 峰: 30A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 8.5 V ~ 35 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA
供应商设备封装: TO-263
包装:
配用: EVDN430MYI-ND - BOARD EVALUATION IXDN430MYI
其它名称: Q1952551
IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430
Fig. 21 High State Output Resistance vs. Supply Voltage
0.35
Fig. 22
0.25
Low State Output Resistance vs. Supply Voltage
0.3
0.2
0.25
0.2
0.15
0.15
0.1
0.1
0.05
0.05
0
0
10
15
20
25
30
35
40
10
15
20
25
30
35
40
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
Fig. 23
0
-10
P Channel Output Current vs. Vcc
Fig. 24
70
60
N Channel O utput Current vs. Vcc
-20
50
-30
40
-40
30
-50
-60
-70
-80
20
10
0
10
15
20
25
30
35
40
10
15
20
25
30
35
40
V cc (V)
Vcc (V)
Fig. 25 P Channel Output Current vs. Temperature
Fig. 26
N Channel Output Current vs. Temperature
40
35
Vcc = 18V
45
40
Vcc = 18V
35
30
30
25
25
20
20
15
10
5
15
10
5
0
0
-60
-10
40
90
140
190
-60
-10
40
90
140
190
Temperature (C)
9
Temperature (C)
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PDF描述
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参数描述
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IXDN502D1 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 35V 3 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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