参数资料
型号: IXDN430MYI
厂商: IXYS
文件页数: 8/12页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263
标准包装: 50
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 41ns
电流 - 峰: 30A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 8.5 V ~ 35 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA
供应商设备封装: TO-263
包装:
配用: EVDN430MYI-ND - BOARD EVALUATION IXDN430MYI
其它名称: Q1952551
IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430
Fig. 15
400
Supply Current vs. Load Capacitance
Vcc = 35V
Fig. 16
1000
Supply Current vs. Frequency
Vcc = 35V
15000 pF
10000 pF
350
300
250
200
150
1 MHz
500 kHz
100
10
5600 pF
1000 pF
100
50
0
100 kHz
50 kHz
10 kHz
1
1000
10000
100000
1
10
100
1000
10000
Load Capacitance (pF)
Frequency (kHz)
Fig. 17
50
45
Propagation Delay vs. Supply Voltage
C L = 5600 pF Vin = 15V@1kHz
t ONDLY
Fig. 18
50
45
Propagation Delay vs. Input Voltage
C L = 5600 pF Vcc = 18V
t ONDLY
40
35
30
25
20
15
10
5
0
t OFFDLY
40
35
30
25
20
15
10
5
0
t OFFDLY
10
15
20
25
30
35
5
10
15
20
25
Supply Voltage (V)
Input Voltage (V)
Fig. 19
70
60
Propagation Delay Times vs. Temperature
C L = 5600pF, Vcc = 18V
Fig. 20
0.6
0.5
Quiescent Supply Current vs. Temperature
Vcc = 18V, Vin = 15V@1kHz, C L = 5600pF
50
40
t ONDLY
t OFFDLY
0.4
0.3
30
0.2
20
10
0
0.1
0
-60
-10
40
90
140
190
-60
-10
40
90
140
190
Temperature (C)
8
Temperature (C)
相关PDF资料
PDF描述
RBB06DHRD CONN CARD EXTEND 12POS .050"
VE-2N2-CX-S CONVERTER MOD DC/DC 15V 75W
RKZ-0505D/H CONV DC/DC 2W 05VIN +/-05VOUT
VE-2NJ-CX-S CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
VE-2NH-CX-S CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDN430YI 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps 40V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN502D1 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 35V 3 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN502D1T/R 功能描述:功率驱动器IC 40V 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN502PI 功能描述:功率驱动器IC 40V 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN502SIA 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 40V 3.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube