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参数资料
| 型号： | IXDN430MYI |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 41ns |
| 电流 - 峰： | 30A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 8.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 盒 |
| 配用： | EVDN430MYI-ND - BOARD EVALUATION IXDN430MYI |
| 其它名称： | Q1952551 |
IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430
Typical Performance Characteristics
Fig. 3
35
30
Rise Tim es vs. Supply Voltage
15000 pF
Fig. 4
30
25
Fall Tim es vs. Supply Voltage
15000 pF
25
10000 pF
20
10000 pF
20
5600 pF
15
10
1000 pF
15
10
5600 pF
1000 pF
5
0
5
0
10
15
20
25
30
35
10
15
20
25
30
35
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V )
Fig. 5
30
Output Rise Times vs. Load Capacitance
13V
18V
Fig. 6
30
Output Fall Times vs. Load Capacitance
35V
25
25
35V
18V
13V
20
20
15
15
10
10
5
5
0
1000
3000
5000
7000
9000
11000
13000
15000
1000
3000
5000
7000
9000
11000
13000
15000
Load Capacitance (pF)
Load Capacitance (pF)
Fig. 7
25
20
Rise and Fall Times vs. Temperature
C L = 5600 pF, Vcc = 18V
t R
Fig. 8
4
3.5
3
Max / Min Input vs. Temperature
CL = 5600pF, Vcc = 18V
Min Input High
Max Input Low
15
10
t F
2.5
2
1.5
1
5
0.5
0
0
-60
-10
40
90
140
190
-60
-10
40
90
140
190
Temperature (C)
6
Temperature (C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RBB06DHRD | CONN CARD EXTEND 12POS .050" |
| VE-2N2-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 15V 75W |
| RKZ-0505D/H | CONV DC/DC 2W 05VIN +/-05VOUT |
| VE-2NJ-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W |
| VE-2NH-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN430YI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps 40V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN502D1 | 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 35V 3 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN502D1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 40V 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN502PI | 功能描述:功率驱动器IC 40V 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN502SIA | 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 40V 3.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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