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参数资料
| 型号： | IXFX360N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | GigaMOS™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 360A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.9 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 525nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 33000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK360N10T
IXFX360N10T
360
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 15V
400
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 15V
300
10V
8V
350
10V
8V
7V
7V
300
240
180
120
60
6V
5.5V
5V
250
200
150
100
50
6V
5.5V
5V
0
4V
0
4V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 180A Value
vs. Junction Temperature
360
300
V GS = 15V
10V
8V
7V
2.6
2.2
V GS = 10V
I D = 360A
240
180
6V
1.8
1.4
I D = 180A
120
60
0
5V
4V
1.0
0.6
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. Normalized R DS(on) vs. Drain Current
180
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.6
V GS = 10V
160
External Lead Current Limit
140
2.2
T J = 175oC
120
100
1.8
80
1.4
T J = 25oC
60
40
1.0
20
0.6
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述 |
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