参数资料
型号: IXFX360N10T
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
标准包装: 30
系列: GigaMOS™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 360A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.9 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 3mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 525nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 33000pF @ 25V
功率 - 最大: 1250W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: PLUS247?-3
包装: 管件
IXFK360N10T
IXFX360N10T
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
0.200
0.100
0.010
0.001
.sadgsfgsf
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF:F_360N10T(8V)9-23-09
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PDF描述
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IXFX38N80Q2 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX40N90P 功能描述:MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXFX44N50F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube