- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录459 > IXFX360N10T (IXYS)MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFX360N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | GigaMOS™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 360A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.9 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 525nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 33000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK360N10T
IXFX360N10T
320
Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Junction Temperature
R G = 1 ? , V GS = 10V
280
Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Drain Current
R G = 1 ? , V GS = 10V
280
V DS = 50V
240
V DS = 50V
240
I
D
= 200A
200
T J = 125oC
200
160
160
120
T J = 25oC
120
80
40
I
D
= 100A
80
40
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times
vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Junction Temperature
700
210
400
120
600
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
180
350
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
110
500
V DS = 50V
I D = 200A
150
300
V DS = 50V
100
400
120
300
200
100
0
I D = 100A
90
60
30
0
250
200
150
100
I D = 200A
I D = 100A
90
80
70
60
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Gate Resistance
400
140
700
650
350
300
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
130
120
600
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
550
500
450
250
110
200
150
100
T J = 125oC
T J = 25oC
100
90
80
400
300
I D = 200A
I D = 100A
350
250
200
150
50
70
0
40
60
80
100
120
140
160
180
60
200
100
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
50
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX48N60P | MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 |
| IXFX50N50 | MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247 |
| IXFX55N50F | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 |
| IXFX60N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247 |
| IXFX62N25 | MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX360N15T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFX38N80Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX40N90P | 功能描述:MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX420N10T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX44N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。