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参数资料
| 型号： | IXGN72N60C3H1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 78A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 78A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 250µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.78nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN72N60C3H1
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
SOT-227B miniBLOC
g fs
C ies
C oes
C res
Q g
Q ge
Q gc
t d(on)
I C = 50A, V CE = 10V, Note 1
V CE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz
I C = 50A, V GE = 15V, V CE = 0.5 ? V CES
33
55
4780
330
117
174
33
72
27
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
t ri
Inductive load, T J = 25 ° C
37
ns
M4 screws (4x) supplied
E on
t d(off)
t fi
E off
t d(on)
t ri
E on
t d(off)
t fi
I C = 50A, V GE = 15V
V CE = 480V, R G = 2 Ω, Note 2
Inductive load, T J = 125 ° C
I C = 50A, V GE = 15V
V CE = 480V, R G = 2 Ω, Note 2
1.03
77
55
0.48
26
36
1.48
120
124
130
110
0.95
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
E off
R thJC
R thCS
Reverse Diode (FRED)
0.93
0.05
mJ
0.35 ° C/W
° C/W
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
V F
I RM
t rr
I F = 60A, V GE = 0V, Note 1
I F = 60A, V GE = 0V,
-di F /dt = 200A/ μ s, V R = 300V
T J = 150°C
T J = 100°C
1.6
1.4
8.3
140
2.0
1.8
V
V
A
ns
R thJC
Notes:
0.42 °C/W
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
2. Switching times & energy losses may increase for higher V CE (Clamp), T J or R G .
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN80N60A2D1 | IGBT 600V 160A FRD SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN80N60A2 | 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN80N60A2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN82N120B3H1 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN82N120C3H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 130Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGP10N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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