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参数资料
| 型号： | IXGN72N60C3H1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 78A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 78A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 250µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.78nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN72N60C3H1
100
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
90
V GE = 15V
13V
300
V GE = 15V
13V
80
70
11V
9V
250
11V
60
50
200
9V
40
30
20
7V
150
100
7V
10
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
5V
2.8
50
0
0
2
4
5V
6
8
10
12
14
100
V CE - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
1.3
V CE - Volts
Fig. 4. Dependence of V CE(sat) on
JunctionTemperature
90
80
V GE = 15V
13V
11V
1.2
V GE = 15V
70
9V
1.1
I
C
= 100A
60
1.0
50
7V
0.9
I
C
= 50A
40
30
0.8
20
10
5V
0.7
0.6
I
C
= 25A
0
0.5
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
25
50
75
100
125
150
5.0
V CE - Volts
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter Voltage
100
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Input Admittance
4.5
T J = 25oC
90
4.0
3.5
I
C
= 100A
50A
25A
80
70
60
T J = 125oC
25oC
- 40oC
50
3.0
2.5
2.0
1.5
40
30
20
10
0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
V GE - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GE - Volts
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PDF描述 |
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