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参数资料
| 型号： | IXGN72N60C3H1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 78A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 78A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 250µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.78nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN72N60C3H1
1.00
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Fig. 21
Fig. 24
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Fig. 22
Fig. 25
Fig. 23
Pulse Width [ [ms]
Pulse Width Seconds ]
s
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Fig. 26. Maximum Transient Thermal Impedance
Fig. 26 Maximum transient thermal impedance junction to case (for diode)
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: G_72N60C3(8D)11-25-09-C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN80N60A2D1 | IGBT 600V 160A FRD SOT-227B |
| IXGN82N120B3H1 | IGBT 1200V 145A SOT-227 |
| IXGN82N120C3H1 | IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B |
| IXSN35N100U1 | IGBT 64A 1000V SOT-227B |
| IXSN35N120AU1 | IGBT 70A 1200V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN80N60A2 | 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN80N60A2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN82N120B3H1 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN82N120C3H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 130Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGP10N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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