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参数资料
| 型号： | IXGN72N60C3H1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 78A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 78A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 250µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.78nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN72N60C3H1
Fig. 12. Inductive Switching
Energy Loss vs. Gate Resistance
Fig. 13. Inductive Switching
Energy Loss vs. Collector Current
5.0
6.0
2.8
5.6
4.5
4.0
3.5
E off E on - ---
T J = 125oC , V GE = 15V
V CE = 480V
5.5
5.0
4.5
2.4
2.0
E off E on ----
R G = 2 ? , V GE = 15V
V CE = 480V
4.8
4.0
3.0
I
C
= 100A
4.0
1.6
3.2
2.5
3.5
2.0
1.5
1.0
I C = 50A
3.0
2.5
2.0
1.2
0.8
T J = 125oC, 25oC
2.4
1.6
0.4
0.8
0.5
1.5
0.0
1.0
0.0
0.0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R G - Ohms
Fig. 14. Inductive Switching
Energy Loss vs. Junction Temperature
I C - Amperes
Fig. 15. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
3.5
5.6
190
500
3.0
2.5
E off E on ----
R G = 2 ? , V GE = 15V
V CE = 480V
4.8
4.0
180
170
160
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GE = 15V
V CE = 480V
450
400
350
2.0
I C = 100A
3.2
150
140
I
C
= 100A
300
250
1.5
2.4
130
200
1.0
1.6
120
I
C
= 50A
150
110
100
0.5
0.0
I C = 50A
0.8
0.0
100
90
50
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
T J - Degrees Centigrade
Fig. 16. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Collector Current
R G - Ohms
Fig. 17. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
180
150
160
125
160
140
120
100
t f t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GE = 15V
V CE = 480V
T J = 125oC
140
130
120
110
140
120
100
t f t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GE = 15V
V CE = 480V
115
105
95
I C = 100A
80
100
80
I C = 50A
85
60
90
40
20
T J = 25oC
80
70
60
40
75
65
20
30
40
50
60
70
80
90
100
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
I C - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T J - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXGN80N60A2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN82N120B3H1 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN82N120C3H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 130Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGP10N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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