参数资料
型号: LTC3703IGN#PBF
厂商: Linear Technology
文件页数: 17/34页
文件大小: 0K
描述: IC REG CTRLR BST PWM VM 16-SSOP
标准包装: 100
PWM 型: 电压模式
输出数: 1
频率 - 最大: 330kHz
占空比: 96%
电源电压: 9.3 V ~ 15 V
降压:
升压:
回扫:
反相:
倍增器:
除法器:
Cuk:
隔离:
工作温度: -40°C ~ 125°C
封装/外壳: 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽)
包装: 管件
LTC3703
APPLICATIONS INFORMATION
V IN
V IN
D2
ZHCS400
L2
10μH
V IN
+
1μF
V IN
+
C IN
12V
C IN
V IN
+
C10
1μF
16V
R17
1M
1%
R17
110k
1%
SW
FB
LT1613
SHDN
GND
C9
4.7μF
6.3V
LTC3703
TG
12V
LTC3703
TG
V CC
DRV CC
SW
BG
L1
+
V OUT
10V TO
15V
C OUT
V CC
DRV CC
SW
BG
L1
+
V OUT
<10V
C OUT
BGRTN
3703 F10a
Figure 10a. V CC Generated from 10V < V OUT < 15V
V IN
BGRTN
Figure 10b. V CC Generated from V OUT < 10V
V IN (<40V)
3703 F10b
OPTIONAL V CC
CONNECTION
10V < V SEC < 15V
+
C IN
12V
+
1μF
C IN
+
12V
V IN
V IN
BAT85
0.22μF
BAT85
V CC
LTC3703
TG1
N
+
V SEC
1μF
LTC3703
TG
VN2222LL
BAT85
R1
R2
DRV CC
FCB
SW
BG1
1
T1
+
V OUT
C OUT
V CC
DRV CC
SW
BG
L1
+
V OUT
C OUT
GND
BGRTN
BGRTN
3703 F10c
Figure 10c. Secondary Output Loop and V CC Connection
above the input supply: V BOOST = V IN + V DRVCC . The value
of the boost capacitor, C B , needs to be 100 times that
of the total input capacitance of the topside MOSFET(s).
The reverse breakdown of the external diode, D B , must be
greater than V IN(MAX) . Another important consideration
for the external diode is the reverse recovery and reverse
leakage, either of which may cause excessive reverse cur-
rent to flow at full reverse voltage. If the reverse current
times reverse voltage exceeds the maximum allowable
3703 F10d
Figure 10d. Capacitive Charge Pump for V CC (V IN < 40V)
power dissipation, the diode may be damaged. For best
results, use an ultrafast recovery silicon diode such as
the BAS19.
An internal undervoltage lockout (UVLO) monitors the volt-
age on DRV CC to ensure that the LTC3703 has sufficient
gate drive voltage. If the DRV CC voltage falls below the
UVLO threshold, the LTC3703 shuts down and the gate
drive outputs remain low.
3703fc
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