参数资料
| 型号： | LTC4101EG#PBF |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 3/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CNTRLR BATT CHRG 24-SSOP |
| 标准包装： | 59 |
| 功能： | 充电管理 |
| 电池化学： | 智能电池 |
| 电源电压： | 6 V ~ 28 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 24-SSOP |
| 包装： | 管件 |
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LTC4101
ELECTRICAL CHARACTERISTICS The l denotes the speci?cations which apply over the full operating
temperature range, otherwise speci?cations are at T A = 25°C. V DCIN = 20V, V DD = 3.3V, V BAT = 4V unless otherwise noted. (Note 4)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Current Sense Ampli?er, CA1
Input Bias Current into BAT Pin
11.66
μA
CMSL
CA1/I 1 Input Common Mode Low
l
0
V
CMSH
CA1/I 1 Input Common Mode High
V DCIN ≤ 28V
l
V CLN –0.2
V
Current Comparators I REV
I TREV
Reverse Current Threshold (V CSP -V BAT )
–30
mV
Current Sense Ampli?er, CA2
Transconductance
1
mmho
Source Current
Sink Current
Measured at I TH , V ITH = 1.4V
Measured at I TH , V ITH = 1.4V
–40
40
μA
μA
Current Limit Ampli?er
Transconductance
1.5
mmho
V CLP
Current Limit Threshold
l
93
100
107
mV
I CLN
CLN Input Bias Current
50
nA
Voltage Error Ampli?er, EA
Transconductance
1
mmho
Sink Current
Measured at I TH, V ITH = 1.4V
36
μA
OVSD
Overvoltage Shutdown Threshold as a Percent
l
102
107
110
%
of Programmed Charger Voltage
Input P-Channel FET Driver (INFET)
DCIN Detection Threshold (V DCIN -V CLP )
DCIN Voltage Ramping Up
l
0
0.17
0.25
V
from V CLP -0.05V
Forward Regulation Voltage (V DCIN -V CLP )
l
25
50
mV
Reverse Voltage Turn-Off Voltage (V DCIN -V CLP )
l
–60
–25
mV
INFET ON Clamping Voltage (V DCIN -V INFET )
I INFET = 1μA
l
5
5.8
6.5
V
INFET OFF Clamping Voltage (V DCIN -V INFET )
I INFET = –25μA
0.25
V
Oscillator
f OSC
Regulator Switching Frequency
255
300
345
kHz
f MIN
DC MAX
Regulator Switching Frequency in Drop Out
Regulator Maximum Duty Cycle
Duty Cycle ≥ 98%
V CSP = V BAT
20
98
25
99
kHz
%
Gate Drivers (TGATE, BGATE)
V TGATE High (V CLP -V TGATE )
I TGATE = –1mA
50
mV
V BGATE High
V TGATE Low (V CLP -V TGATE )
V BGATE Low
C LOAD = 3000pF
C LOAD = 3000pF
I BGATE = 1mA
4.5
4.5
5.6
5.6
10
10
50
V
V
mV
TGATE Transition Time
TGTR
TGTF
TGATE Rise Time
TGATE Fall Time
C LOAD = 3000pF, 10% to 90%
C LOAD = 3000pF, 10% to 90%
50
50
110
100
ns
ns
BGATE Transition Time
BGTR
BGTF
BGATE Rise Time
BGATE Fall Time
V TGATE at Shutdown (V CLN -V TGATE )
C LOAD = 3000pF, 10% to 90%
C LOAD = 3000pF, 10% to 90%
I TGATE = –1μA
40
40
90
80
100
ns
ns
mV
4101fa
3
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