参数资料
| 型号： | M1A3PE3000-FGG896I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 133/162页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 3M 896-FBGA |
| 标准包装： | 27 |
| 系列： | ProASIC3E |
| RAM 位总计： | 516096 |
| 输入/输出数： | 620 |
| 门数： | 3000000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 896-BGA |
| 供应商设备封装： | 896-FBGA（31x31） |
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ProASIC3E DC and Switching Characteristics
2-58
Revision 13
Output Enable Register
Timing Characteristics
Figure 2-29 Output Enable Register Timing Diagram
50%
Preset
Clear
EOUT
CLK
D_Enable
Enable
tOESUE
50%
tOESUDtOEHD
50%
tOECLKQ
1
0
tOEHE
tOERECPRE
tOEREMPRE
tOERECCLR
tOEREMCLR
tOEWCLR
tOEWPRE
tOEPRE2Q
tOECLR2Q
tOECKMPWH tOECKMPWL
50%
Table 2-88 Output Enable Register Propagation Delays
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1
Std. Units
tOECLKQ
Clock-to-Q of the Output Enable Register
0.59 0.67 0.79
ns
tOESUD
Data Setup Time for the Output Enable Register
0.31 0.36 0.42
ns
tOEHD
Data Hold Time for the Output Enable Register
0.00 0.00 0.00
ns
tOESUE
Enable Setup Time for the Output Enable Register
0.44 0.50 0.58
ns
tOEHE
Enable Hold Time for the Output Enable Register
0.00 0.00 0.00
ns
tOECLR2Q
Asynchronous Clear-to-Q of the Output Enable Register
0.67 0.76 0.89
ns
tOEPRE2Q
Asynchronous Preset-to-Q of the Output Enable Register
0.67 0.76 0.89
ns
tOEREMCLR Asynchronous Clear Removal Time for the Output Enable Register
0.00 0.00 0.00
ns
tOERECCLR
Asynchronous Clear Recovery Time for the Output Enable Register
0.22 0.25 0.30
ns
tOEREMPRE Asynchronous Preset Removal Time for the Output Enable Register
0.00 0.00 0.00
ns
tOERECPRE
Asynchronous Preset Recovery Time for the Output Enable Register
0.22 0.25 0.30
ns
tOEWCLR
Asynchronous Clear Minimum Pulse Width for the Output Enable Register
0.22 0.25 0.30
ns
tOEWPRE
Asynchronous Preset Minimum Pulse Width for the Output Enable Register 0.22 0.25 0.30
ns
tOECKMPWH Clock Minimum Pulse Width High for the Output Enable Register
0.36 0.41 0.48
ns
tOECKMPWL Clock Minimum Pulse Width Low for the Output Enable Register
0.32 0.37 0.43
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
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