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参数资料
| 型号： | M25PE10-VMN6P |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位统一部门，串行闪存 |
| 文件页数： | 22/60页 |
| 文件大小： | 310K |
| 代理商： | M25PE10-VMN6P |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页当前第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页
Instructions
M25PE20, M25PE10
22/60
Table 7.
Instruction set
Instruction
Description
One-byte
Instruction code
Addr
bytes
Dummy
bytes
Data
bytes
WREN
Write Enable
0000 0110
06h
0
0
0
WRDI
Write Disable
0000 0100
04h
0
0
0
RDID
Read Identification
1001 1111
9Fh
0
0
1 to 3
RDSR
(1)
Read Status Register
0000 0101
05h
0
0
1 to
∞
WRLR
(1)
Write to Lock Register
1110 0101
E5h
3
0
1
WRSR
(1)
1.
Instruction available only in the T9HX process (see
Important note on page 6
).
Write Status Register
0000 0001
01h
0
0
1
RDLR
Read Lock Register
1110 1000
E8h
3
0
1
READ
Read Data Bytes
0000 0011
03h
3
0
1 to
∞
FAST_READ Read Data Bytes at Higher Speed
0000 1011
0Bh
3
1
1 to
∞
PW
Page Write
0000 1010
0Ah
3
0
1 to 256
PP
Page Program
0000 0010
02h
3
0
1 to 256
PE
Page Erase
1101 1011
DBh
3
0
0
SSE
(1)
SubSector Erase
0010 0000
20h
3
0
0
SE
Sector Erase
1101 1000
D8h
3
0
0
BE
(1)
Bulk Erase
1100 0111
C7h
0
0
0
DP
Deep Power-down
1011 1001
B9h
0
0
0
RDP
Release from Deep Power-down
1010 1011
ABh
0
0
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25PE10-VMP6G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE10-VMP6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE10-VMP6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE10-VMP6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE20_07 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M25PE10-VMN6TG | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE10-VMN6TP | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SERIAL PAGE ERASE FLASH 1 Mbit Datas RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M25PE10-VMN6TPBA | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 1Mbit 128K x 8bit 8ns T/R 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Tape and Reel |
| M25PE10-VMN6TPBA TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 1MBIT 75MHZ 8SO |
| M25PE10-VMP6G | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH SERL-SPI 3.3V 1MBIT 128KX8 8NS 8PIN VDFPN EP - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 1MBIT 75MHZ 8VFQFPN |
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