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参数资料
| 型号： | M58WR064EBZB |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的× 16，多银行，突发1.8V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 17/82页 |
| 文件大小： | 1100K |
| 代理商： | M58WR064EBZB |
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Table 8. Status Register Bits
Note: Logic level ’1’ is High, ’0’ is Low.
Bit
Name
Type
Logic Level
Definition
SR7
P/E.C. Status
Status
’1’
Ready
’0’
Busy
SR6
Erase Suspend Status
Status
’1’
Erase Suspended
’0’
Erase In progress or Completed
SR5
Erase Status
Error
’1’
Erase Error
’0’
Erase Success
SR4
Program Status
Error
’1’
Program Error
’0’
Program Success
SR3
VPP Status
Error
’1’
VPP Invalid, Abort
’0’
VPP OK
SR2
Program Suspend Status Status
’1’
Program Suspended
’0’
Program In Progress or Completed
SR1
Block Protection Status
Error
’1’
Program/Erase on protected Block, Abort
’0’
No operation to protected blocks
SR0
Bank Write Status
Status
’0’
SR7 = ‘0’
Program or erase operation in addressed bank
SR7 = ‘1’
No Program or erase operation in the device
'1'
SR7 = ‘0’
Program or erase operation in a bank other than
the addressed bank
SR7 = ‘1’
Not Allowed
Multiple Word Program
Status (Enhanced
Factory Program mode)
Status
'1'
SR7 = ‘0’
the device is NOT ready for the next word
SR7 = ‘1’
Not Allowed
'0'
SR7 = ‘0’
the device is ready for the next Word
SR7 = ‘1’
the device is exiting from EFP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58WR128EBZB | 128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M5913 | COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER |
| M5913B1 | COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER |
| M5F78M05 | 5 V FIXED POSITIVE REGULATOR, PSFM3 |
| M5F78M06 | 6 V FIXED POSITIVE REGULATOR, PSFM3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M58WR064ET | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064ET10ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064ET70ZB6T | 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M58WR064ET80ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064ETZB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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