- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录224150 > M58WR064EBZB (意法半导体) 64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M58WR064EBZB |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的× 16，多银行，突发1.8V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 37/82页 |
| 文件大小： | 1100K |
| 代理商： | M58WR064EBZB |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页当前第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页
42/82
Figure 12. Synchronous Burst Read AC Waveforms
AI06980c
DQ0-DQ15
E
G
A0-A21
L
WAIT
K
(3)
VALID
ADDRESS
tLLLH
tAVLH
tGLQX
tAVKH
tLLKH
tELKH
tKHAX
tKHQX
tKHQV
NOT
VALID
Note
1
Note
2
Note
2
tKHTX
tKHTV
tEHQX
tEHQZ
tGHQX
tGHQZ
tKHTX
Hi-Z
VALID
Note
2
tELTV
tKHTV
tEHTZ
Address
Latch
X
Latency
Valid
Data
Flow
Boundary
Crossing
Valid
Data
Standby
Note
1.
The
n
umber
of
cloc
k
cycles
to
be
inser
ted
depends
on
the
X
latency
set
in
the
Burst
Configur
ation
Register
.
2.
The
W
AIT
signal
can
be
configured
to
be
activ
e
dur
ing
w
ait
state
or
one
cycle
bef
ore
.W
AIT
signal
is
activ
e
Lo
w
.
3.
Address
latched
and
data
output
on
the
r
ising
cloc
k
edge
.Either
the
f
alling
or
the
r
ising
edge
of
the
cloc
k
signal
,K,
can
be
configured
as
the
activ
e
edge
.
Here
the
activ
e
edge
of
K
is
the
r
ising
one
.
tEHEL
tKHQV
tKHQX
tKHQV
tKHQX
Hi-Z
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58WR128EBZB | 128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M5913 | COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER |
| M5913B1 | COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER |
| M5F78M05 | 5 V FIXED POSITIVE REGULATOR, PSFM3 |
| M5F78M06 | 6 V FIXED POSITIVE REGULATOR, PSFM3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M58WR064ET | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064ET10ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064ET70ZB6T | 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M58WR064ET80ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064ETZB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。