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参数资料
| 型号： | M58WR064EBZB |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的× 16，多银行，突发1.8V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 40/82页 |
| 文件大小： | 1100K |
| 代理商： | M58WR064EBZB |
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Figure 15. Write AC Waveforms, Write Enable Controlled
E
G
W
DQ0-DQ15
COMMAND
CMD
or
DATA
STATUS
REGISTER
V
PP
VALID
ADDRESS
A0-A21
tAVAV
tQVVPL
tAVWH
tWHAX
PROGRAM
OR
ERASE
tELWL
tWHEH
tWHDX
tDVWH
tWLWH
tWHWL
tVPHWH
SET-UP
COMMAND
CONFIRM
COMMAND
OR
DATA
INPUT
STATUS
REGISTER
READ
1st
POLLING
tELQV
AI06974
tWPHWH
WP
tWHGL
tQVWPL
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BANK
ADDRESS
VALID
ADDRESS
L
tAVLH
tLLLH
tELLH
tLHAX
tGHWL
tWHQV
tWHWPL
tWHVPL
tELKV
K
tWHLL
tWHAV
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58WR128EBZB | 128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M5913 | COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| M58WR064ET10ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064ET70ZB6T | 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M58WR064ET80ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064ETZB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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