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参数资料
| 型号： | M59DR032F100N1T |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 12/38页 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | M59DR032F100N1T |
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M59DR032A, M59DR032B
2/38
Figure 2A. FBGA Connections (Top View)
AI02532C
C
B
A
8
7
6
5
4
3
2
1
E
D
F
A4
A7
VPP
A8
A11
A13
A0
E
DQ8
DQ5
DQ14
A16
VSS
DQ0
DQ9
DQ3
DQ6
DQ15
VDDQ
DQ1
DQ10
VDD
DQ7
VSS
DQ2
A2
A5
A17
W
A10
A14
A1
A3
A6
A20
DU
A9
A12
A15
RP
A18
DQ4
DQ13
G
DQ12
DQ11
WP
A19
Figure 2B. TSOP Connections
DQ3
DQ9
DQ2
A6
DQ0
W
A3
NC
DQ6
A8
A9
DQ13
A17
A10
DQ14
A2
DQ12
DQ10
DQ15
VDD
DQ4
DQ5
A7
DQ7
VPP
WP
AI02533B
M59DR032A
M59DR032B
12
1
13
24
25
36
37
48
DQ8
A20
A19
A1
A18
A4
A5
DQ1
DQ11
G
A12
A13
A16
A11
VDDQ
A15
A14
VSS
E
A0
RP
VSS
Table 1. Signal Names
A0-A20
Address Inputs
DQ0-DQ15
Data Input/Outputs, Command Inputs
E
Chip Enable
G
Output Enable
W
Write Enable
RP
Reset/Power Down
WP
Write Protect
VDD
Circuitry Supply Voltage
VDDQ
Input/Output Buffers Supply Voltage
VPP
Optional Supply Voltage for
Fast Program & Erase
VSS
Ground
NC
Not Connected Internally
DU
Don’t use as internally connected
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M59DR032F100N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032F100ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032F100ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032F120N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032F120N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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