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参数资料
| 型号： | M59DR032F100N1T |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 18/38页 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | M59DR032F100N1T |
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M59DR032A, M59DR032B
Table 26. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
(TA = 0 to 70 °C or –40 to 85 °C; VDD = VDDQ = 1.65V to 2.2V)
Symbol
Alt
Parameter
M59DR032
Unit
100
120
Min
Max
Min
Max
tAVAV
tWC
Address Valid to Next Address Valid
100
120
ns
tELWL
tCS
Chip Enable Low to Write Enable Low
0
ns
tWLWH
tWP
Write Enable Low to Write Enable High
50
ns
tDVWH
tDS
Input Valid to Write Enable High
50
ns
tWHDX
tDH
Write Enable High to Input Transition
0
ns
tWHEH
tCH
Write Enable High to Chip Enable High
0
ns
tWHWL
tWPH
Write Enable High to Write Enable Low
30
ns
tAVWL
tAS
Address Valid to Write Enable Low
0
ns
tWLAX
tAH
Write Enable Low to Address Transition
50
ns
tGHWL
Output Enable High to Write Enable Low
0
ns
tVDHEL
tVCS
VDD High to Chip Enable Low
50
s
tWHGL
tOEH
Write Enable High to Output Enable Low
30
ns
tPLQ7V
RP Low to Reset Complete During
Program/Erase
15
s
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参数描述 |
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| M59DR032F100ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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