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参数资料
| 型号： | MB85317A-60 |
| 厂商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M×72Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×72位 同步动态RAM) |
| 中文描述： | 4米× 72Bit的CMOS同步动态随机存取存储器（SDRAM）的CMOS（4分× 72位同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | MB85317A-60 |
10
MB85317A-60/MB85317A-70
I
AC CHARACTERISTICS (Continued)
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.) Notes 1, 2, 3
No.
Parameter
Symbol
MB85317A-60
MB85317A-70
Unit
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
57
Fast Page Mode Read-Modify-
Write Cycle Time
t
PRWC
80
—
89
—
ns
58
Access Time from CAS
Precharge
t
CPA
—
40
—
45
ns
7, 16
59
Fast Page Mode CAS Precharge
Time
t
CP
10
—
10
—
ns
60
Fast Page Mode RAS Hold Time
from CAS Precharge
t
RHCP
40
—
45
—
ns
61
Fast Page Mode CAS Precharge
to WE Delay Time
t
CPWD
55
—
62
—
ns
18
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB85317A-70 | CMOS 4M×72Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×73位 同步动态RAM) |
| MB85341C-60 | CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
| MB85341C-70 | CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
| MB85342C-60 | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
| MB85342C-70 | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB85AS4MTPF-G-BCERE1 | 功能描述:IC RERAM 4MBIT 5MHZ 8SOP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 技术:ReRAM（电阻式 RAM） 存储容量:4Mb （512K x 8） 时钟频率:5MHz 写周期时间 - 字，页:17ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 |
| MB85R1001 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_08 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_09 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K × 8) |
| MB85R1001A | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K x 8) |
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