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参数资料
| 型号： | MB85317A-60 |
| 厂商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M×72Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×72位 同步动态RAM) |
| 中文描述： | 4米× 72Bit的CMOS同步动态随机存取存储器（SDRAM）的CMOS（4分× 72位同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | MB85317A-60 |
6
MB85317A-60/MB85317A-70
I
PIN DESCRIPTIONS
I
PRESENCE DETECT (PD)/ID DEFINITION
I
CAPACITANCE
(T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Max.
Symbol
Function
Input/Output
Pin Count
A
0
to A
11
, B
0
Address Input
Input
13
RAS
0
and RAS
2
Row Address Strobe
Input
2
CAS
0
and CAS
4
Column Address Strobe
Input
2
WE
0
and WE
2
Write Enable
Input
2
OE
0
and OE
2
Output Enable
Input
2
DQ
0
to DQ
71
Data-input / Data-output
Input/Output
72
PD
1
to PD
8
Presence Detect
Output
8
ID
0
and ID
1
ID bit
Output
2
PDE
Presence Detect Enable
Input
1
V
CC
Power Supply
—
16
V
SS
Ground
—
16
NC
No Connection
—
32
Symbol
MB85317A-60
MB85317A-70
Description of PD / ID
PD
1
H
H
MODULE DENSITY, DRAM ORGANIZATION AND
ADDRESSING;
Module Density: 32MB, Number of Bank: 1
Bank
Module Configuration: 4M
×
72
Mounted DRAM Configuration: 4M
×
4
DRAM Address (Row / Column): 12 / 11
PD
2
H
H
PD
3
L
L
PD
4
H
H
PD
5
L
L
EDO DETECTION; Fast Page Mode : PD5 = L
PD
6
H
L
MODULE SPEED;
60ns : PD6 = H, PD7 = H
70ns : PD6 = L, PD7 = H
PD
7
H
H
PD
8
L
L
ECC / PARITY DETECTION; ECC : PD8 = L
ID
0
L
L
MODULE TYPE; x72 ECC : ID0 = L
ID
1
L
L
REFRESH MODE; Normal Refresh : ID1 = L
Parameter
Symbol
Min.
Unit
Input Capacitance, (Address)
C
IN1
—
20
pF
Input Capacitance, (RAS)
C
IN2
—
80
pF
Input Capacitance, (CAS, WE, OE)
C
IN3
—
20
pF
I/O Capacitance, (DQ)
C
DQ
—
20
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB85317A-70 | CMOS 4M×72Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×73位 同步动态RAM) |
| MB85341C-60 | CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
| MB85341C-70 | CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
| MB85342C-60 | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
| MB85342C-70 | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB85AS4MTPF-G-BCERE1 | 功能描述:IC RERAM 4MBIT 5MHZ 8SOP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 技术:ReRAM（电阻式 RAM） 存储容量:4Mb （512K x 8） 时钟频率:5MHz 写周期时间 - 字，页:17ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 |
| MB85R1001 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_08 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_09 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K × 8) |
| MB85R1001A | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K x 8) |
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