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参数资料
| 型号： | MB85317A-60 |
| 厂商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M×72Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×72位 同步动态RAM) |
| 中文描述： | 4米× 72Bit的CMOS同步动态随机存取存储器（SDRAM）的CMOS（4分× 72位同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | MB85317A-60 |
9
MB85317A-60/MB85317A-70
I
AC CHARACTERISTICS (Continued)
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.) Notes 1, 2, 3
No.
Parameter
Symbol
MB85317A-60
MB85317A-70
Unit
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
30 Write Command Setup Time
t
WCS
0
—
0
—
ns
13,18
31 Write Command Hold Time
t
WCH
15
—
15
—
ns
32
Write Command Hold Time from
RAS
t
WCR
33
—
33
—
ns
33 WE Pulse Width
t
WP
15
—
15
—
ns
34
Write Command to RAS Lead
Time
t
RWL
20
—
22
—
ns
35
Write Command to CAS Lead
Time
t
CWL
15
—
17
—
ns
36 DIN Setup Time
t
DS
–2
—
–2
—
ns
37 DIN Hold Time
t
DH
20
—
20
—
ns
38 Data Hold Time from RAS
t
DHR
35
—
35
—
ns
39 RAS to WE Delay Time
t
RWD
78
—
90
—
ns
18
40 CAS to WE Delay Time
t
CWD
35
—
39
—
ns
18
41
Column Address to WE Delay
Time
t
AWD
50
—
57
—
ns
18
42
RAS Precharge Time to CAS
Active Time (Refresh Cycles)
t
RPC
3
—
3
—
ns
43
CAS Setup Time (C-B-R
Refresh)
t
CSR
5
—
5
—
ns
44 CAS Hold Time (C-B-R Refresh)
t
CHR
8
—
10
—
ns
45 WE Setup Time from RAS
t
WSR
5
—
5
—
ns
46 WE Hold Time from RAS
t
WHR
8
—
8
—
ns
47 Access Time from OE
t
OEA
—
20
—
22
ns
7
48
Output Buffer Turn Off Delay
from OE
t
OEZ
—
20
—
22
ns
8
49
OE to RAS Lead Time for Valid
Data
t
OEL
10
—
12
—
ns
50
WE Hold Time Referenced to
WE
t
OEH
5
—
5
—
ns
14
51 OE to Data in Delay Time
t
OED
20
—
22
—
ns
52 CAS to Data in Delay Time
t
CDD
20
—
22
—
ns
53 DIN to CAS Delay Time
t
DZC
–2
—
–2
—
ns
15
54 DIN to OE Delay Time
t
DZO
–2
—
–2
—
ns
15
55
Fast Page Mode RAS Pulse
Width
t
RASP
—
100000
—
100000
ns
56
Fast Page Mode Read/Write
Cycle Time
t
PC
40
—
45
—
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MB85R1001A | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K x 8) |
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