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参数资料
| 型号： | MC33580BAPNAR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SW QUAD HI SIDE 15MOHM 24PQFN |
| 标准包装： | 1,200 |
| 类型： | 高端 |
| 输入类型： | SPI |
| 输出数： | 4 |
| 导通状态电阻： | 15 毫欧 |
| 电源电压： | 6 V ~ 27 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-PowerQFN |
| 供应商设备封装： | 24-PQFN（12x12） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Table 4. Dynamic Electrical Characteristics (continued)
Characteristics noted under conditions 6.0 V ≤ V PWR ≤ 27 V, 4.5 V ≤ V DD ≤ 5.5 V, - 40 ° C ≤ T A ≤ 125 ° C, GND = 0 V unless
otherwise noted. Typical values noted reflect the approximate parameter means at T A = 25°C under nominal conditions unless
otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
POWER OUTPUT TIMING (HS0, HS1, HS2, HS3) (continued)
Output Turn-ON Delay Time in Slow Slew Rate (21)
t DLY_SLOW(ON)
μ s
DICR = 0
Output Turn-ON Delay Time in Fast Slew Rate (21)
DICR = 1
Output Turn-OFF Delay Time in Slow Slew Rate Mode (22)
DICR = 0
Output Turn-OFF Delay Time in Fast Slew Rate Mode (22)
DICR = 1
Overcurrent Low Detection Blanking Time
t DLY_FAST(ON)
t DLY_SLOW(OFF)
t DLY_FAST(OFF)
2.0
1.0
20
5.0
10
3.0
100
20
130
60
400
100
μ s
μ s
μ s
ms
OCLT[1:0] : 00
OCLT[1:0] : 01 (23)
OCLT[1:0] : 10
OCLT[1:0] : 11
t OCL0
t OCL1
t OCL2
t OCL3
108
–
55
0.08
155
–
75
0.15
202
–
95
0.3
Overcurrent High Detection Blanking Time
t OCH
1.0
5
20
μ s
CS to CSNS Valid Time
(24)
t CNSVAL
–
–
10
μ s
Watchdog Timeout
(25)
ms
WD[1:0] : 00
WD[1:0] : 01
WD[1:0] : 10
WD[1:0] : 11
t WDTO0
t WDTO1
t WDTO2
t WDTO3
446
223
1800
900
558
279
2250
1125
725
363
2925
1463
Notes
21. Turn-ON delay time measured from rising edge of any signal (IN[0 : 3], SCLK, CS ) that would turn the output ON to V HS[0 : 3] = 0.5 V with
R L = 5.0 ? resistive load.
22.
23.
24.
25.
Turn-OFF delay time measured from falling edge of any signal (IN[0 : 3], SCLK, CS ) that would turn the output OFF to V HS[0 : 3] = V PWR -
0.5 V with R L = 5.0 ? resistive load.
This logical bit is not defined. Do not use.
Time necessary for the CSNS to be with ±5% of the targeted value.
Watchdog timeout delay measured from the rising edge of WAKE or RST from a sleep state condition, to output turn-ON with the output
driven OFF and FSI floating. The values shown are for WDR setting of [00]. The accuracy of t WDTO is consistent for all configured
watchdog time-outs.
33580
Analog Integrated Circuit Device Data
Freescale Semiconductor
11
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PDF描述 |
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